三星宣布:大规模生产128GB内存芯片
据报道，2015年11月30道，三星去年8月就宣布推出全球第一款采取3D立体硅穿孔封装技术打造的内存芯片，单条DDR4内存条容量高达64GB。三星近日宣布,将批量生产128GB内存芯片，容量比去年翻了1倍。
“我们很高兴批量生产高速度运行、低功耗的128GB立体硅穿孔封装技术DRAM内存，这将增进我们全球IT客户和合作伙伴推出新一代的企业解决方案,”三星电子内存销售及营销的副总裁JooSunChoi称。
据悉，在这个小小的内存芯片中，三星内置了144个芯片，构成了白癜风能不能彻底治好36×4GBDRAM封装，每一个封装中全国哪家医院治疗白癜风最好有4×8Gb芯片，所以采取128GB的容量。而且该内存芯片采取了三星最先进的20毫微米工艺制造，数据传输速度高达2400Mbps。它的作用是，代替使用互连引线接合，像在常规芯片封装芯片堆叠的是，在芯片管芯是第一精细研磨，然后用细孔穿孔电极由穿过孔垂直连接。这提升信号传输并配上模块的特殊设计，当它优化模块的功耗和性能。
